Laboratorio Di Elettronica 2017/2018

1-Linea di Trasmissione: schema circuitale reale e ideale, impedenza caratteristica, coefficiente di riflessione, coefficiente di trasmissione, propagazione del segnale con carico resistivo e reattivo.

(Cervellati-Malosti: fotocopie; Millman-Taub: Pulse, digital and switching waveform pag. 82-106; appunti)

2-Conduzione elettrica nei semiconduttori: cenni di teoria delle bande nei solidi, livello di Fermi, drogaggio di tipo p e n, corrente di diffusione, corrente di trascinamento, giunzione p-n, portatori maggioritari e minoritari, regione di svuotamento, capacità della giunzione, potenziale di contatto, polarizzazione diretta e inversa della giunzione, caratteristica ideale tensione-corrente del diodo. Cenni sul funzionamento di LED e fotodiodi*: generazione e ricombinazione delle cariche.

(B. Razavi: Fundamental of Microelectronics; A. Kitai Principles of Solar Cells LEDs and Diodes, the role of the p-n junction;*S.M. Sze Semiconductor devices, Physics and Technology pag. 60-63, pag. 288-294.)

3-Transistor BJT in regime d.c.: principio di funzionamento, relazione tra le correnti di base, collettore e emettitore, caratteristiche di ingresso e uscita nella configurazione a emettitore comune, regioni di funzionamento del transistor, effetto Early e influenza sulle caratteristiche di ingresso e uscita, retta di carico, polarizzazione in regione attiva e in regione di saturazione, effetto della resistenza sull’emettitore, circuito di autopolarizzazione con partitore.

(B. Razavi: Fundamental of Microelectronics; Malvino-Bates Electronic Principles)

4-Transistor BJT in regime a.c.: Effetto delle capacità di accoppiamento. Amplificatore a emettitore commune: effetto della capacità di by pass sull’emettitore, circuito equivalente per piccolo segnali, amplificazione in tensione, impedenza di ingresso e di uscita. Amplificatore a collettore comune: amplificazione in tensione, impedenza di ingresso e uscita. Amplificatore differenziale: amplificazione, corrente di bias, corrente e tensione di offset.

(B. Razavi: Fundamental of Microelectronics; Malvino-Bates: Electronic Principles; Milman-Grabel: Microelettronica cap. 3)

5- Amplificatori per ampi segnali: retta di carico in a.c.. Amplificatori di potenza: Definizione di potenza, efficienza, amplificatori in classe A, B, C, applicazioni.

(Malvino-Bates Electronic Principles; Sedra-Smith Circuiti per la microelettronica)

6- Cenni sui MOSFET: principio di funzionamento, canale n e canale p, tensione di gate, drain e source, applicazioni del MOSFET e confronti con il BJT.

7-Amplificatori Operazionali: caratteristiche dell’OPAMP ideale, circuito equivalente, concetto di massa virtuale, retroazione negativa, configurazione invertente e non invertente, amplificazione in tensione, resistenza di ingresso e uscita, amplificazione nel caso reale. Circuiti con OPAMP: sommatore, convertitore digitale-analogico (dac), amplificatore differenziale, CMRR, amplificatore per stumentazione. Risposta in frequenza, prodotto amplificazione-ampiezza di banda. Filtri attivi: Filtri passa alto e passa basso nelle configurazioni invertente e non invertente, itegratore, derivatore. Filtri attivi del II ordine: topologia di Sellen-Key, caratteristiche dei filtri alla Butterworth, Bessel, Chebychev; filtri attivi di ordine superiore.

(Malvino-Bates Electronic Principles; Sedra-Smith Circuiti per la microelettronica;B. Razavi: Fundamental of Microelectronics; appunti)