Introduzione Alla Crescita Dei Cristalli 2017/2018

Cristallo all’equilibrio

Sovrassaturazione. Equazione di Gibbs-Thomson. Equazione di Laplace. Teorema di Wulff. Cristallo su una superficie. Formula di Herring. Approccio atomistico alla crescita dei cristalli. Modello di Jackson.

Nucleazione

Termodinamica della nucleazione. Nucleazione omogenea ed eterogenea. Velocità di nucleazione. Teoria atomistica della nucleazione.

Crescita del cristallo

Crescita normale su superfici K. Crescita su superfici F. Crescita da fase vapore. Velocità di avanzamento di un gradino. Velocità di avanzamento di un treno di gradini. Crescita da una nucleazione bidimensionale. Crescita strato per strato. Barriera di Ehrlich-Schwoebel. Molecular Beam Epitaxy. Processi di crescita. Tecnica e reattori di crescita. Tecniche per il monitoraggio della crescita: RHEED e LEED

Seminari di approfondimento (Dott. R.Calarco, Paul-Drude Institut, Berlin)

• Epitaxial growth of semiconductors by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Chemical Vapor Deposition (CVD). Exended examples: III-Nitrides and Nanowires (2 seminari)
• Phase Change Materials and van der Waals Epitaxy